Жарэс Іванавіч Алфёраў нарадзіўся 15 сакавіка 1930 года ў Віцебску. Свой першы дэтэктарны прыёмнік ён сабраў у 10-гадовым узросце

Жарэс Іванавіч Алфёраў нарадзіўся 15 сакавіка 1930 года ў Віцебску. Свой першы дэтэктарны прыёмнік ён сабраў у 10-гадовым узросце. Пераязджаючы з горада ў горад услед за бацькам, які быў вайскоўцам, юны Алфёраў у 1947 годзе скончыў мінскую школу № 42 з залатым медалём.

Па радзе настаўніка фізікі Якава Мельцэрзона ён некалькі семестраў працягнуў вучобу ў Беларускім політэхнічным інстытуце (цяпер БНТУ) на энергетычным факультэце, пасля чаго паехаў паступаць у Ленінград.

У 1953 годзе Алфёраў пачаў працаваць у Фізіка-тэхнічным інстытуце ў Ленінградзе, дзе стаў першакласным спецыялістам па квантавай фізіцы паўправадніковых прыбораў, стварыў навуковую школу, а ў 1987 годзе стаў дырэктарам інстытута. Дарэчы, менавіта па яго ініцыятыве ў 1972 годзе былі створаны кафедры оптаэлектронікі ў Ленінградскім электратэхнічным інстытуце і Ленінградскім політэхнічным інстытуце, а ў апошнім у 1988 годзе арганізаваны фізіка-тэхнічны факультэт.

У 1963 годзе даследчык атрымаў свой першы патэнт. Працы Алфёрава прынеслі яму славу вучонага-першаадкрывальніка і паклалі пачатак новай навуковай школе — фізіцы паўправадніковых гетэраструктур.

Жарэс Алфёраў таксама прыклаў свае намаганні да стварэння першых у СССР транзістараў, фотадыёдаў і германавых выпрамнікаў. Ён адкрыў з'яву звышінжэкцыі ў гетэраструктурах, прапанаваў прынцып выкарыстання гетэраструктур у паўправадніковай электроніцы. Распрацаваныя ім сонечныя батарэі забяспечвалі электрычнасцю касмічную станцыю «Мір».